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Product laser

產品中心
IGBT/SiC激光退火設備
產品簡介
精確的單/雙脈沖控制,對離子注入后的硅基IGBT圓片背面進行激光快速退火,實現激活深度,有效修復離子注入破壞的晶格結構。
產品特點

激活深度≥7μm

單位小時產出>25 @8"

優異的方阻均勻性和表面顏色

完整的全程監控反饋能力

支持超薄片、TAIKO片、翹曲片退火

具備激光輔助加熱系統

應用領域
標準晶圓、平邊晶圓、Notch晶圓、Taiko晶圓
技術指標
設備型號 DR-S-LA200S DR-S-LA300S DR-S-LA200D DR-S-LA300D
適用晶圓尺寸 6/8寸兼容 8/12寸兼容 6/8寸兼容 8/12寸兼容
激光能量密度 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2 ≥5J/cm2
激光穩定性 ≤ 2%,RMS
激活率 ≥95% @B Implant,≥90% @P Implant
均勻性 片內:≤1%,片間:≤1%,@8",RS
潔凈度控制 ≤30 @ 0.5μm,≤5 @ 1μm
自動傳片系統 雙晶圓裝載口、多關節機器手、預準直器
應用案例